四氟化碳也一樣,比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的,在正常大氣壓下就是氣態(tài)的,四氟化碳是有一定毒性的應該不能用作呼吸。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續(xù)進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。吸入四氟化碳的后果與濃度有關,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。





是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體,其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內(nèi),高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū),受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后,近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展狀態(tài),因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費量持續(xù)攀升。

四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳是當前微電子工業(yè)中應用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。

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